首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

碳化硅薄膜半导体材料研制

2001年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
“碳化硅薄膜半导体材料研制”属“九五”期间国家计委、国家科委、国防科工委于1996年联合制定的国家“顶层设计”项目（又称为“顶层计划”），由863计划新材料领域专家委员会组织实施和管理。在专家委员会的正确领导和支持下，我们采用化学汽相沉积技术在国内首先长出大面积（直径3F43mm）优质SiC薄膜，在国内处于最高水平，接近或部分达到国际最先进水平。用所制薄膜试制出肖特基等微电子器件，作为衬底...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统