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GaN和ZnO材料和器件特性的Monte Carlo模拟研究

2008年

基础理论

成果简介

作为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，ZnO和GaN具有压电、气敏、光电和透明导电等多种特性, 对它们的研究有望开发出声、光、电、热等多功能集成化的器件，因此对于ZnO、GaN材料和器件的研究具有重要的理论意义和实用价值。
课题组经过2002至2007五年的时间，利用Monte Carlo模拟方法研究了ZnO材料...

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