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CdS纳米带光电导性能研究

2008年 应用技术
  • 成果简介
随着纳米材料制备水平的日趋深入、成熟和多样化，纳米器件及其性能的研究得到了广泛开展，并在晶体管、发光二极管、气体和化学传感器等应用方面获得了初步成功。理化所最近成功地制备了宽度几个微米的CdS纳米带，对纳米带的结构进行了表征，测量了单根纳米带的光电导性能。实验发现：纳米带的生长方向与其它II-VI族半导体纳米带不同；CdS单根纳米带的光谱响应、光强度和时间响应速度比体材料和薄膜的响应速度快...
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