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亚30纳米CMOS器件若干关键工艺技术研究

2008年 应用技术
  • 成果简介
　　亚30纳米CMOS器件及其技术是国际上正在开展的前沿性探索研究，是知识创新和产权竞争的焦点。中科院微电子研究所的研究人员以技术创新为主线，围绕高性能亚30纳米CMOS器件和关键工艺技术研究已申报19项发明专利，均被受理，其中6项发明专利己获授权。该所的研究人员把在器件结构和关键制造技术方面的发明用于科学实践，在国内首次完成了亚30纳米CMOS器件及关键工艺技术研究，研制成功栅长27纳米CMOS...
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