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室温GaAs红外探测器

2004年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种基于平板电容随温度变化原理设计的室温GaAs红外探测器。该探测器的结构是：在GaAs衬底上，有一与GaAs衬底牢固结合的高掺杂Si GaAs平板电容下电极层，在下电极层与上电极层的一端头之间有一AlAs支撑层，支撑平板电容上电极层，使上电极层的突出部分被悬空，上电极层的材料为高掺杂Si GaAs，
　　在上电极层上覆盖着一层Si_3N_4吸热层。当探测器的吸热层受到...

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