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磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法

2008年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明提供了一种无损检测III-V族化合物半导体InP与GaAs基材料的直接键合结构质量的方法。在直接键合过程中，由于键合压力沿晶片表面分布的不均匀或晶片预处理过程中非故意引入的表面颗粒物质使InP-GaAs交界面局部区域形成非良好接触，键合退火过程后这些区域形成较差的键合界面或未键合区域；对InP-GaAs直接键合结构进行红外吸收光谱特性的二维扫描探测发现，某些区域在波长3.51um附近...
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