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相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法

2008年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
变存储器单元器件制备方法，属于微电子领域。本发明有助于制备新的纳米量级的相变存储器单元器件，从而其研发。本发明先后在基底上制备10-400nm的过渡层和50-400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10-500um的掩膜连续溅射约为10-1000nm的相变合金层以及20-400nm厚的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不...
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