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钠电子器件性能测试用的器件结构及制备方法

2008年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
具体来说,是在硅衬底材料上先沉积底电极材料(BE),然后沉积电介质材料(IDL),曝光,刻蚀成多孔状,尺寸在60-200nm,间距2-5 m,接着向孔内沉积相变材料,化学机械抛光,覆盖掩膜板,沉积上电极(TE)。这样,薄膜就被掩膜板分成很多小单元,而每个单元大小差不多,故其中所包含的小器件结构也差不多,这样就可以引线,简单封装,然后测试每个单元的性能。此外,可以通过改变掩模板的大小,把上电...
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