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一种钠电子相变存储器的制备方法

2008年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法（P...
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