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采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法

2008年

应用技术

初期阶段

成果简介

近年来，随着微电子工业的飞速发展，SOI技术越来越受到重视，并在微电子和MEMS等领域得到了广泛应用。SOI材料的优越性主要归功于掩埋绝缘层的存在。由于埋氧将顶层的硅薄膜和衬底给离开来，给器件性能和制造工艺上都带来了好处，目前商业化的SOI材料中的埋氧都是连续的，也就是埋氧存在于整个SOI晶片之中，这种全片的SOI材料给新兴器件的设计和某些制造工艺带来了一定限制，比如在MEMS器件的制造工...

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