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利用侧壁氧化制备Si02中纳米SiGe合金的新方法

2000年 应用技术
  • 成果简介
　　本课题证实了SiGe合金氧化后所形成氧化层厚度为所消耗的SiGe合金的2.25倍，发现了氧化温度为900℃时氧化速度最快，900℃是氧化的临界温度。当Ge的成分大于或等于50%时，氧化温度大于900℃时Ge不参加氧化层和SiGe合金的界面堆积，温度小于900℃时Ge参加氧化。我们提出了这一现象的模型，为了形成纯的SiO2，我们在样品升温过程用氮气保护，避免Ge在升温时氧化。利用实验结果计算了S...
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