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新型GaInAsNSb低维半导体光电子材料与器件

2008年

应用技术

成果简介

一、项目简介
“新型GaInAsNSb低维半导体光电子材料与器件”项目由中国科学院半导体研究所、北京邮电大学承担完成。本项目主要以GaAs基InGaAs量子点、GaInNAsSb量子阱材料为对象，研究受限电子、光子体系中基础物理现象，突破外延生长技术，自主创新设计优化器件结构，制备室温工作高性能光电器件。
采用压力光荧光谱结合计算研究大尺寸量子点压力...

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