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新型功率半导体器件VDMOS开发

2008年 应用技术
  • 成果简介
该项目对新型功率半导体器件VDMOS产业化关键技术进行了开发。在器件结构的设计上，采取钝角代替直角，减少了在沟道拐角处电荷的富集，减低了局域电场，提高了器件的击穿电压；在器件制备工艺上，采用衬底粗糙技术，降低了通态电阻；采用高能量As离子注入和薄二氧化硅保护层技术相结合，既避免了高能离子注入对半导体材料的损伤效应，又提高了界面截流子浓度，改善了均匀性；采用复合栅技术，减低了栅极电阻，提高了...
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