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锑化镓多晶和单晶片的制备技术

2008年 应用技术
  • 成果简介
(1)炉内合成锑化镓多晶，其优点是合成速度快、化学配比好、杂质玷污少，多晶的生产成本低。
(2)熔体表面浮渣的去除技术，保证单晶生长的进行。
(3)单晶生长。用液封直拉法生长晶体的位错密度低、残留应力小、成晶率高。
(4)晶片的切割、研磨、抛光、腐蚀和清洗等工艺技术。可达到晶片的开盒即用技术要求。
成果状况：目...
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