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计算机硬盘基片抛光率的控制方法

2008年 应用技术
  • 成果简介
用于计算机硬盘基片化学机械抛光的CMP抛光液:SiO_2磨料粒径小(20~50mm)、浓度高(>40%)、硬度小(对基片损伤度小)、分散度好;PH值大于9.0,对设备钝化作用,避免酸性抛光液抛光中易产生的塌边现象的发生,解决了酸性抛光污染重、易凝胶的诸多弊端,对操作人员也不会产生伤害;采用了多种有利环境保护措施,废液可以完全被现有的污染处理设备消化,不对环境造成影响;活性剂的使用增加了高低...
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