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纳米压痕位移突变机理研究

2004年

应用技术

成果简介

用铁和ZnO单晶研究纳米压入时的位移突变和蠕变突变。结果表明，电解抛光的纯铁压入时会出现位移突变，突变前后的载荷一位移曲线明显不同，它对应表面膜破裂。而对于ZnO单晶来说，突变前后载荷一位移曲线变化不大，该突变意味着位错的爆发式发射。随加载速率降低，发生位移突变的临界载荷PC也下降。当P＞PC恒载荷蠕变时，位移缓慢升高直至饱和，但无突变；如P＜PC，恒载荷下保持一定时间就会发生蠕变突变，随...

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