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新结构SOI LIGBT器件的基础研究

2005年 应用技术
  • 成果简介
主要研究与国内先进VLSI工艺兼容的、可能有利于改善器件性能的、漂移区减薄(DRT)的多沟道(MC)绝缘层上硅(SOI)横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)新结构的可实现性,包括:1.对国内已有的先进VLSI工艺技术进行了比较深入的调查研究。2.在此基础上深入探索了国内先进VLSI工艺可实现的DRT MC SOI LIGBT器件新结构。3.初步探索上述可实现的DRT MC SOI LIGBT...
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