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硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究

2002年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
SOI是一种在高温、抗辐照、低压低功耗电路等方面具有重要应用前景的新型硅基材料。但在其制备过程中容易被重金属杂质沾污,使电路特性恶化。SOI中的有害杂质用常规吸杂方法难以有效除去。He^+注入在硅中形成的纳米孔层对重金属有强烈的吸除作用,在ULSI工艺中具有明显的应用前景,引起人们的极大兴趣。美国 Sandia 国家重点实验室、AT&T 公司的 Bell实验室等已开展此项研究。我们开展了氦...
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