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掺锗紫外光敏光纤制备及特性研究

2003年 应用技术
  • 成果简介
采用MCVD法研究了掺锗光敏光纤的制备工艺，通过锗硼共掺杂，优化了光纤结构参数，克服了高掺杂锗硼造成的预制棒炸裂问题，在沉积过程中，通过掺氢及还原缩棒气氛，在芯中形成一定量的羟基（OH），增加二价锗的浓度，使光敏性得到了明显提高。并免去了光纤必须经高压载氢才有较好光敏性的复杂工序。分析了氧化锗浓度，锗的价态、羟基对光敏性的影响及紫外写入时光敏机理。用248nm波长准分子激光进行写入光栅实验...
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