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低温生长GaAs缺陷态载流子俘获与复合的超快动力学研究

2002年 应用技术
  • 成果简介
本项目采用选进的飞秒激光光谱技术，特别是多波长泵浦—探测技术和飞秒光电导相关技术，研究了LT-GaAs在不同激发能态下导带中电子的驰豫过程和缺陷态对电子的俘获过程，完成了原计划的内容，取得了四个重要的研究成果：1. 在实验上测出了LT-GaAs中载流子的寿命＜400fs，导出了电子的俘获时间小于500fs ，并指出随着光激发能量的增大，电子俘获速率加快，这些都是有关LT-GaAs研究的新的...
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