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硅尖锥离子掺杂氮化碳包层膜的场电子发射特性研究

2001年

应用技术

成果简介

采用PECVD方法制备CNx（氮化碳）和SiCN薄膜，研制具有CNx镀层的Si尖锥场发射阵列；用热蒸发纯Zn粉气相工艺生长出不同形貌的一维ZnO纳米结构阵列；研究了离子束表面处理及离子注入的掺杂效应、辐照效应对CNx、SiCN薄膜的成分、结构、化学配比、化学键态和电子场发射性质的影响，以及不同形貌的ZnO纳米结构a-CNx或a-C镀层阵列的场发射特性。 CNx薄膜的N 表面注入，实现n型掺...

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