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二阶段式化学气相沉积成长铜薄膜及其反应机理研究

2002年 应用技术
  • 成果简介
属于超大规模集成电路后段制程的铜金属化是现今及未来集成电路制造中的主导技术，新一代铜制程的核心技术在于全部以CVD方式成长扩散阻挡层、铜种晶层及铜金属膜。本项目针对新一代铜制程中的铜薄膜成长技术，重点研究硅基材上CVD铜薄膜的最佳沉积反应条件、铜核形成过程及铜薄膜成长机制，探讨其沉积反应机理。本项目自行设计、组建了一套MOCVD系统，开展了硅基材上CVD铜薄膜的实验研究，通过正交设计实验完...
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