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一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下：
1、在基片表面上淀积氮化硅薄膜；
2、在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到电极图形；
3、利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；
4、蒸发、剥离金属得到交叉线下电极；
5、生长牺牲层材料；
6、化学机械抛光牺牲层材料至...
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