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在磷化铟InP基片上形成通孔的方法及半导体光电器件

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别是一种在InP基片中湿法刻蚀孔或通孔的方法。方法包括利用电化学腐蚀的方法先在通孔位置电化学腐蚀出穿透InP基片电流微孔，微孔腔与InP基片表面垂直，再采用常规化学腐蚀液进行通孔刻蚀；电化学腐蚀形成的与通孔方向一致多孔的InP。另外，提供了这种通孔的金属化填充方法。半导体光电器件，包括：基片、光电器件有源区外延层、金属化填充的导电通孔、背电极金属层、正电...
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