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一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种高击穿电压SOI器件结构，包括SOI衬底(3)，埋氧层(2)，形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管，所述晶体管包括栅电极(30)，栅氧化层(31)，漏电极(10)，源电极(50)背栅沟道(60)，以及位于漏电极(10)与源电极(50)之间且位于背栅沟道(60)两侧的体区(53)。本发明同时公开了一种高击穿电压SOI器件结构的制备方法。利用本发明，有效地提高了SOI器件的击穿...
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