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一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法

2006年

应用技术

成果简介

本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法，包括：
A、在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层，进行N场注入和P场注入，对得到的器件进行电学隔离；
B、在电学隔离后的器件表面热生长一层二氧化硅，注入杂质，穿透热生长的二氧化硅层，调节阈值电压；
C、在热生长的二氧化硅层上化学气相淀积一层二氧化硅，增加一层栅扩展光刻版，...

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