首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种砷化镓PIN二极管及其制作方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种GaAs PIN二极管，该GaAs PIN二极管包括：用于支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；在半绝缘GaAs衬底上外延生长的高掺杂N+层，在高掺杂N+层上依次外延生长的接近本征的高阻I层和P+层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂N+层、高阻I层和P+层的面积依次减小形成台面结构；在P+层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；在N+层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统