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一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器

2005年

应用技术

成果简介

　　本实用新型涉及基于SOI材料的光子晶体分束器，包括一SOI材料衬底，在SOI衬底刻蚀产生硅柱，该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列，硅柱高度为SOI顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导；输入波导夹在两路输出波导的中间，它与两路输出波导分别由一列硅柱隔离，输入波导前端至少还留有一个硅柱，输出波导末端至少还留有一个硅柱；与外界相连的SOI条载波导分别设置在输入...

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