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形成于PD SOI衬底上的静态随机存储器及其制作方法

2005年

应用技术

成果简介

　　本发明涉及一种静态随机存储器，更具体地，一种形成于PD SOI衬底上的静态随机存储器及其制作方法。
　　该SRAM单元为六管存储单元，即第一、第二存取NMOS晶体管，第一、第二驱动NMOS晶体管，第一、第二负载PMOS晶体管。其中，存取NMOS管和负载PMOS管采用T型栅体接触，驱动NMOS采用BTS－A型栅体接触。存取NMOS管和驱动NMOS管的漏区在一共用区域彼此连接。六只晶体...

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