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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种通过实验和计算结果对Ⅲ／V－Si晶片直接键合技术中的几个关键参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接键合过程主要包括四个阶段，即：晶片清洗阶段；预键合阶段；高温热处理阶段；去衬底阶段。
　　本发明分别对各个阶段的一系列关键参数通过理论和实验论证进行了优化。通过键合InP基结构片在Si上后，利用湿法腐蚀...
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