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一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及光子学技术领域，特别是一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法。由SOI衬底、电极、双栅氧化层、多晶硅波导层以及氧化硅包层构成，对称的MOS并联电容结构构成了器件的有源区，电极和重掺杂多晶硅层形成良好欧姆接触，电极由引线孔引出并在调制区表面形成交叉型结构。双栅氧化层对称地夹在掺杂类型分别为n、p、n的多晶硅层之间，正、负电极分别制作在p、n多晶硅上，形成并联电容结构。
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