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一种低温晶片直接键合方法

2005年

应用技术

成果简介

　　本发明涉及晶片直接键合技术领域，提供的是一种利用低温键合技术将InP基材料键合到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片，在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后，再对InP和Si分别进行表面除杂质离子、除碳和表面清水性处理，之后进行预键合。再将经过预键合的晶片对置于一真空温控加热加压炉系统内，施加一适当温度和适当压力的热处理，以驱除键合界面的水汽。之后对键合片进行减薄处理，...

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