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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法

2005年

应用技术

成果简介

　　本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs／GaAs SK生长方式高密度量子点（1011／cm^2以上）外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法。
　　通过精确控制分子束外延生长条件－用单原子层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱1.02～1.08微米波段发光，并且具有很高的发光效率。将其应用于...

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