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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法

2005年

应用技术

成果简介

　　本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种InGaAs／GaAs亚分子单层量子点外延层结构，以及实现这一外延结构的分子束外延生长方法。结构包括第一层为GaAs过渡层；第二层为InGaAs亚分子单层量子点结构；第三层为GaAs表面保护层。
　　通过精确控制分子束外延生长条件－用亚分子单层交替生长来控制量子点的组分、外延层厚度、形貌结构等，可以实现室温PL谱0.92～0.96微米波段发...

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