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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明属于光电子技术领域，一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷（AlInGaAs）材料掩埋脊波导结构（BRS）分布反馈无制冷高速直调激光器的方法。
　　关键技术为：在铟磷（InP）衬底上制作吸收型光栅；采用窄条选择外延生长技术自动生成铝铟镓砷（AlInGaAs）应变补偿多量子阱窄条台形有源区，并用铟磷（InP）将该台面包覆起来；台形有源区形成后，大面积生长p型铟磷（InP）盖层...
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