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一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法，其特点在于：1.不同于其他光－电集成器件的横向耦合结构，本器件的结构，是将化合物半导体光探测器和金属－半导体场效应晶体管纵向集成生长在同一衬底材料上。2.在器件制备过程中，将栅极下方的砷化铟量子点有源区台面与源、漏电极区隔断开，使量子点层下方的调制掺杂导电沟道与源、漏电极连通，构成场效应器件的导电回路。本发明提出了一种纵向结构上将光探...
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