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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法

2005年

应用技术

成果简介

本发明涉及Ⅲ-氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。采用提前关闭Cp2Mg源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Mg在pn结结面的记忆效应，其主要特征是在生长Mg掺杂p型GaN层时，提前适当时间关闭Cp2Mg源，其它生长参数不变，这样可以将Mg记忆效应造成的表面富Mg层控制在p型层中；然后再在低温下生长一薄层GaN，可以抑制Mg原子从富Mg层中逸出...

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