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磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤D：重复步骤C3～7次，以生长多周期量子线结构，提高量子线的尺寸和空间均匀性；步骤E：在生长多周期量子线结构之后，生长盖帽层以保护所生长的材料，完...
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