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半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
一种半绝缘衬底长波长半导体激光器，主要包括：P面电极部分和N面电极部分以及两者间的隔离沟道；其中，P面电极部分和N面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底；一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构，该激光器材料结构制作在半绝缘铟磷衬底上；一二氧化硅介质层，该二氧化硅介质层蒸发溅射在材料结构上；一双沟脊形波导区，该双沟脊形波导区采用湿法刻蚀的方法制作在激光器材料结构上；一P面电极层，该...
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