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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
本发明提出了一种在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在Si基片上生长Si缓冲层，改善衬底晶体质量；(2)降低生长温度，生长Ge浸润层；(3)中断10～40秒，抽走反应气体；(4)在Ge浸润层上通过向生长室通入B2H6引入硼原子；(5)中断10～40秒后，生长Ge顶层，形成Ge量子点。用此方法得到的Ge量子点尺寸小、密度高、分布均匀，有利于实现Si基...
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