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湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺

2004年 应用技术
  • 成果简介
本发明涉及的是半导体技术，是一种湿法腐蚀两步法制备超薄硅的腐蚀工艺，可用于减薄具有氧化埋层的硅柔性衬底(SOI)，为大失配外延生长提供了一种可协调失配应变的衬底材料。该腐蚀工艺，(a)对柔性硅衬底片子进行去油处理，去离子水清洗，并经稀释氢氟酸漂洗后，再进行超薄腐蚀加工；(b)先进行酸性腐蚀；(c)再进行碱性腐蚀。本发明解决了对柔性硅衬底的表层硅(Si)腐蚀不均匀的情况，而采用先酸后碱的腐蚀...
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