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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法

2004年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明提供一种利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪固体粉末和氮气分别作为产生同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化铪薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温...
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