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ZnO单晶膜上GaN基纳米光电子材料生长及LED器件研发

2007年

应用技术

成果简介

　　该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术，克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配，在第一代半导体硅材料上，制备出高质量的第三代半导体GaN材料，成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。
　　课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构，通过优化生长技术，制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GaN基LED材料，攻克了硅衬底...

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