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存储电容器的制造方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
一种存储电容器的制造方法，包括：在衬底的绝缘层上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成第一导电层；有选择性地刻蚀所述第一导电层和第一介质层形成沟槽，所述沟槽底部露出所述绝缘层表面；在所述沟槽侧壁形成第二介质层；在所述沟槽底部及第二介质层表面形成第二导电层；在所述沟槽中的第二导电层侧壁及上面形成第三介质层；在所述第一导电层及沟槽中的第三介质层上填充第三导电层。该制造方法避免在制造过程中电容极...
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