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利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明公开了一种利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法。应用于氮化镓基HEMT或HFET材料与器件的制作领域。它是采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在SiC或Si单晶衬底上生长氮化镓基高电子迁移率晶体管或异质结场效应晶体管材料的方法和工艺，在SiC或Si单晶衬底上生长完AlN或AlGaN形核层以及GaN缓冲层后，再生长GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN盖帽层时，...
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