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与半导体工艺兼容的非铅系铁电薄膜及其制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明属于一种采用溶胶－凝胶方法制备非铅系铁电复合薄膜的技术领域。本发明所述的与半导体工艺兼容的非铅系铁电薄膜的制备方法，先用溶胶－凝胶法配制前驱体溶液，在基片上旋转涂覆所需厚度的薄膜，然后将涂覆好的薄膜放在200～400℃、5～15MPa的纯氧环境中热处理10～30小时，最后在其上表面溅射金，作为上电极。本发明具有两个明显的特点：第一，薄膜制备温度低，能与半导体集成电路工艺相容；第二，将薄膜...
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