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浅结二极管芯片的制作方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明涉及一种浅结二极管芯片的制作方法。(1)在硅片氧化表面的一面或双面进行光刻、腐蚀，形成有源区窗口。(2)将砷原子或磷原子注入到有源区窗口。(3)在硅片表面淀积多晶硅层。(4)将硅片推入800℃～950℃的磷扩散炉进行磷扩散，同时进行离子注入退火。(5)经光刻、腐蚀，把有源区窗口以外的多晶硅层刻蚀掉。(6)对硅片溅射或蒸发金属膜。(7)腐蚀掉有源区以外的金属膜。(8)在真空或在氮气和氢气的...
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