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等离子体增强化学气相淀积设备

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　1．是利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术。
　　2．成膜过程在在50～300Pa范围内。
　　3．沉积温度低，在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。
　　4．成膜均匀，产能大。
　　技术创新点：
　　1．气体流量的重复性；
　　2．气体压力的重复性； ...
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