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一种N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种半导体器件特性的评价方法，尤其是NWR器件(N阱电阻)的Bias系数(电压依存系数)的提取方法。通常，Bias系数用来表征在不同依存电压前提下器件的电阻变化。但是，对于宽度较小的NWR器件来说，提取系数十分困难，没有一个单一的值来归纳。本发明通过逐个提取不同宽度的NWR器件的Bias系数、将所得的系数对应于宽度的变化，用指数模型来进行拟合、并用模型系数来表征器件电压依存系数...
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