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一种半导体金属电容的结构及其刻蚀方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种半导体金属电容的结构，由下到上分别包括下部电极、介质层和上部电极，所述介质层由下到上分别包括一个氧化膜层、一个氮化膜层和另一个氧化膜层。该结构利用多层介质层，使半导体金属电容既能够保留氧化膜和氮化膜各自的优点，又克服了它们电介系数小及针孔多的缺陷。本发明还公开了一种上述电容的刻蚀方法，在刻蚀掉上部电极之后，用高刻蚀速率选择比的条件，将介质层中最上面的氧化膜层刻蚀掉，并且在刻...
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